联大学堂河南理工大学电力电子技术网上考试答案
| 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( ) |
| A.90° B.120° C.150° D.180° |
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| 三相半波可控整流电路的自然换相点是( ) |
| A.交流相电压的过零点 B.本相电压与相邻相电压正半周的交点处 C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30° D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60° |
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| 若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为 （ ） |
| A.157A B.100A C.80AA D.246.5A |
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| 单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的作用是（ ） |
| A.增加晶闸管的导电能力 B.抑制温漂 C.增加输出电压的稳定性 D.防止失控现象的产生 |
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| 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是 （ ） |
| A.90° B.120° C.150° D.180° |
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| 对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（ ） |
| A.α无法确定 B.0.5<α<1 C.0<α<0.5 D.以上说法均是错误的 |
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| 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) |
| A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不定 |
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| 降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，导通比Ktt，则负载电压U0=( ) |
| A.64VV B.12VV C.21VV D.4V |
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| 若减小SPWM逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是（ ） |
| A.减小三角波频率 B.减小三角波幅值 C.减小输入正弦波控制电压幅值 D.减小输入正弦波控制电压频率 |
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| 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是 （ ） |
| A.00~900 B.00~1800 C.900~18000 D.1800~3600 |
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| 晶闸管的过电流保护常用哪几种保护方式？ |
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| 元源逆变电路，按输出交流电的电压、频率是否能够发生变化，可分成哪能些类型 |
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| 全桥直流变换电路根据控制方式的不同可分为双极型PWM控制方式和单极型PWM控制方式。（ ） |
| A.正确 B.错误 |
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| 升压直流变换电路是一种输出电流的平均值高于输入直流电流的变换电路。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 晶闸管的门极既可以控制它的导通，也可以控制它的关断。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 晶闸管的门极既不能控制它的导通，也不能控制它的关断。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 晶闸管的门极不可以控制它的导通，但能控制它的关断。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为掣住电流。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 并联谐振式逆变电路，为了实现负载换流，要求补偿后的总负载呈容性。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 直流测接大电感的逆变电路称为电流型逆变电路。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 电压型逆变电路其直流电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 电力二极管的主要类型有普通二极管，（）和（） |
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| 单相桥式半控整流电路中，电阻性负载，流过每个晶闸管的有效电流IT＝( ) |
| A.I B.0.5I C.(１/2)*II D.(2)*I |
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| IGBT的保护有（），过电压保护和（）。 |
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| 晶闸管的正向特性又有（）和（）之分。 |
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| 将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( ) |
| A.有源逆变器 B.A/D变换器 C.D/A变换器 D.无源逆变器 |
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| 负载换流式逆变电路分为（），（）。 |
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| 在三相桥式不控整流电路中，整流输出电压的平均值为( ) |
| A.33626U2或或2.34U2 B.U2或或1.17U2 C.U2或或1.56U2 D.U2或或0.78U2 2222 |
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| 半控型电力电子器件控制极只能控制器件的（），而不能控制器件的（）。 |
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| 若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是( ) |
| A.增大三角波幅度 B.增大三角波频率 C.增大正弦调制波频率 D.增大正弦调制波幅度 |
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| 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是( ) |
| A.a> B.a< C.a= D.以上都不正确 |
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| 对于同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有，IL（ ）IH。 |
| A.大于 B.等于 C.小于 D.无关 |
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| 为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ ）。 |
| A.du/dt抑制电路 B.抗饱和电路 C.di/dt抑制电路 D.吸收电路 |
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| 采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为（ ） |
| A.减小输出幅值 B.增大输出幅值 C.减小输出谐波 D.减小输出功率 |
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| 压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（ ） |
| A.分流 B.降压 C.过电压保护 D.过电流保护 |
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| 在晶闸管触发电路中，改变 |
| A.同步电压 B.控制电压 C.脉冲变压器变比 D.整流变压器变比 |
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| 无源逆变电路和有源逆变电路有何区别？ |
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| 试说明直流斩波器主要有哪几种电路结构？ |
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| 三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 单结晶体管自激振荡电路只能触发电阻性负载电路。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 如果逆变角太小，会造成逆变失败。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 交流调压电路是维持频率不变，只改变输出电压的幅值的电路。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 双向晶闸管的四种触发方式中I＋触发灵敏度最高。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 双向晶闸管的四种触发方式中III＋触发灵敏度最高。 |
| A.正确 B.错误 |
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| IGBT是将MOSFET与GTR的优点集于一身。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 谷点电流是维持单结晶体管导通的最小电流。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 升降压直流变换电路的输出电压平均值可以大于或小于输入直流电压。 （） |
| A.正确 B.错误 |
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| 电压型逆变电路其直流电压基本无脉动，直流回路呈现高阻抗 |
| A.正确 B.错误 |
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| 晶闸管是一种既具有（），又具有（）的大功率半导体器件 |
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| 降压直流变换电路输出电压为（），输出电流为（） |
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| 双向晶闸管有两个（）电极和一个（）极 |
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| 1957年（）研制出第一只晶闸管，它标志着（）的诞生。 |
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| 180°导电型电压型三相桥式逆变电路，其换相是在如下哪种情形的上、下二个开关之间进行( ) |
| A.同一相 B.不同相 C.固定相 D.不确定相 |
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| 下列全控器件中，属于电流控制型的器件是 （ ）。 |
| A.P-MOSFETT B.SIT C.GTR D.IGBT |
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| 在PWM斩波方式的开关信号形成电路中，比较器反相输入端加三角波信号，同相端加（ ） |
| A.正弦信号 B.方波信号 C.锯齿波信号 D.直流信号 |
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| 斩波电路是一种（ ）变换电路。 |
| A.AC/AC B.DC/AC C.DC/DC D.AC/DC |
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| 在晶闸管整流电路中，变压器二次侧所供给的有功功率P＝（ ） |
| A.I2dRdd B.I2Rdd C.UIdd D.U2Id |
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| 三相半波可控整流电路，电阻性负载，当控制角α为（ ）时，整流输出电压与电流波形断续。 |
| A.00＜α≤3000 B.300＜α≤1500 C.600＜α＜18000 D.900＜α＜1800 |
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| 在单相桥式半控整流电路中，电阻性负载，流过每个晶闸管的有效电流IT为（ ） |
| A.I B.0.5I C.（1／根号2）*II D.（根号2）*I |
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| 三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（ ）时整流平均电压Ud=0。（ ） |
| A.300 B.600 C.900 D.1200 |
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| 具有自关断能力的电力半导体器件称为( ) |
| A.全控型器件 B.半控型器件 C.不控型器件 D.触发型器件 |
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| 电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂 |
| A.各一只 B.各二只 C.共三只 D.共四只 |
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| 单相全控桥式有源逆变电路，控制角为a，则输出电压的平均值为( ) |
| A.Ud=1.17U2cosaa B.Ud=0.9U2cosa C.Ud=-2.34U2cosa D.Ud=0.45U2cosa |
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| 三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关 ( )。 |
| A. α.Id. XL.U2φ B.α.Id C.U2 D.α.U2. XL |
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| 三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（ ）。 |
| A.0°-90° B.30°-120° C.60°-150° D.60°-150° |
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| 电力技术、电子技术和电力电子技术三者所涉及的技术内容 |
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| 按照稳压控制方式，直流变换电路可分为（）和（） |
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| 无流整流电路输出的是（） |
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| 晶闸管稳定导通的条件（ ） |
| A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流 B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流 C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流 |
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| 逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成 （ ） |
| A.大功率三极管 B.逆阻型晶闸管 C.双向晶闸管 D.可关断晶闸管 |
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| 在下列可控整流电路中，不能实现有源逆变的是 （ ） |
| A.单相全控桥整流电路 B.单相双半波整流电路 C.单相半控桥整流电路 D.三相全控桥整流电路 |
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| 软开关变换器中，辅助电路与功率主回路并联，能有效地降低辅助回路自身的损耗的变换器是（ |
| A.准谐振变换器 B.多谐振变换器 C.零电压/零电流PWM变换器 D.零电压/零电流转换变换器 |
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| 三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（ ）。 |
| A.00～1800 B.00～15000 C.00～1200 D.00～900 |
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| 为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（ ）。 单位为度 |
| A.10～155 B.20～25 C.30～355 D.40～45 |
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| 一般认为交变频输出的上限频率（ ） |
| A.与电网有相同的频率 B.高于电网频率 C.可达电网频率的80% D.约为电网频率的1/2~1/3 |
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| 电压型逆变电路其交流侧电压波形为矩形波，电流波形接近三角波或正弦波。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 逆变失败的原因有（ ）（)() |
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| 电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( ) |
| A.电容 B.电感 C.蓄电池 D.电动机 |
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| 单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ＝ （ ） |
| A.π-α B.π+α C.π-δ-α D.π+δ-α |
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| 三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0o时，输出的负载电压平均值为（ ）。 |
| A.0.45U2 B.0.9U22 C.1.17U2 D.2.34U2 |
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| 单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为( ) |
| A.12U22 B.2U2 C.22U2 D.6U2 |
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| 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是( ) |
| A.a> B.a< C.a= D.以上都不正确 |
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| 取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( ) |
| A.转折电压 B.反向击穿电压 C.阈值电压 D.额定电压 |
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| 库克变换电路与升降压变换电路本质上是一样的 |
| A.正确 B.错误 |
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| 硒堆长期放置不用会发生储存老化现象。 |
| A.正确 B.错误 |
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| 电力晶体管是一种（）的双极型晶体管。 |
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| 采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为( ) |
| A.减小输出幅值 B.增大输出幅值 C.减小输出谐波 D.减小输出功率 |
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| 可在第一和第四象限工作的变流电路是( ) |
| A.三相半波可控变流电路 B.单相半控桥 C.接有续流二极管的三相半控桥 D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路 |
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| 晶闸管电流的波形系数定义为( ) |
| A.KffB B.KffIT C.Kf =IdT·IT IdT D.Kf =IdT-IT |
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| 单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( ) |
| A.2U2 B.2U22 C.22U2 D.U2 2 |
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| 有源逆变发生的条件为（ ） |
| A.要有直流电动势 B.要求晶闸管的控制角大于900 C.直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致 D.以上说法都是对的 |
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| 若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（ ） |
| A.增大三角波幅度 B.增大三角波频率 C.增大正弦调制波频率 D.增大正弦调制波幅度 |
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| α为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态 |
| A.0度 B.60度 C.30度 D.120度 |
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| 在PWM逆变电路的相电压正弦波调制信号中叠加适当的3次谐波，使之成为鞍形波的目的在于 |
| A.消除谐波分量 B.包含幅值更大的基波分量 C.减少开关次数 D.削弱直流分量 |
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| 关于单相桥式PWM逆变电路，下面说法正确的是（ ） |
| A.在一个周期内单极性调制时有一个电平，双极性有两个电平 B.在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有三个电平 C.在一个周期内单极性调制时有三个电平，双极性有两个电平 D.在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有一个电平 |
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| 三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为 （ ） |
| A.0～1800 B.0～1500 C.0～120 D.0～120 |
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| 取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸 21 |
| A.转折电压 B.反向击穿电压 C.阈值电压 D.额定电压 |
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| 在大电感负载三相全控桥中，整流电路工作状态的最大移相范围是（ ） |
| A.60° B.180° C.120° D.90° |
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| 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( ) |
| A.α、U2、负载电流Id以及变压器漏抗XC B.α和U2 C.以及负载电流II D.以及负载电流II |
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| 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 （ ） |
| A.一次击穿 B.二次击穿 C.临界饱和 D.反向截止 |
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| 电力电子技术研究的对象是（）（）和电力电子装置的开发与应用。 |
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