联大学堂周口师范学院半导体物理学网上考试答案
| 当PN结外加反向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（）。 |
| A.扩散电流大于漂移电流、耗尽层变宽 B.扩散电流小于漂移电流、耗尽层变宽 C.扩散电流大于漂移电流、耗尽层变窄 D.扩散电流小于漂移电流、耗尽层变窄 |
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| 在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（） |
| A.在禁带中线处 B.靠近导带底 C.靠近价带顶 D.以上都不是 |
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| 在n型半导体中（） |
| A.空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B.空穴的数量略多于电子 C.电子是多数载流子，空穴是少数载流子 D.没有电子 |
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| 锗的晶格结构和能带结构分别是（）。 |
| A.金刚石型和直接禁带型 B.闪锌矿型和直接禁带型 C.金刚石型和间接禁带型 D.闪锌矿型和间接禁带型 |
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| 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。 |
| A.1/e B.1/2 C.0 D.2/e |
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| 半导体中的载流子扩散系数的大小取决于（） |
| A.复合机构 B.散射机构 C.能带结构 D.能带结构 |
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| 将Si掺杂入GaAs中，若Si取代As则起（）杂质作用。 |
| A.施主 B.受主 C.陷阱 D.复合中心 |
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| 导带底的电子是()。 |
| A.带正电的有效质量为正的粒子 B.带正电的有效质量为负的准粒子 C.带负电的有效质量为正的粒子 D.带负电的有效质量为负的准粒子 |
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| 如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（）。 |
| A.不含施主杂质 B.不含受主杂质 C.不含任何杂质 D.处于绝对零度 |
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| 如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。 |
| A.施主 B.复合中心 C.陷阱 D.两性杂质 |
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| GaAs的导带极值位于布里渊区（） |
| A.中心 B.<111>方向边界处 C.<100>方向边界处 D.<110>方向边界处 |
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| 在P型半导体中（） |
| A.电子是多数载流子，空穴是少数载流子 B.空穴的数量略多于电子 C.空穴是多数载流子，电子是少数载流子 D.没有电子 |
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| 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。 |
| A.Ec B.Ev C.Eg D.Ef |
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| 一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本上（），而能量小于费米能级的量子态基本上为（），而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是（），所以费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。 |
| A.没有被电子占据，电子所占据，1/2 B.电子所占据，没有被电子占据，1/2 C.没有被电子占据，电子所占据，1/3 D.电子所占据，没有被电子占据，1/3 |
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| 砷化稼的能带结构是（）能隙结构。 |
| A.直接 B.间接 C.转换 D.转变 |
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| 若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（） |
| A.不含施主杂质 B.不含受主杂质 C.不含任何杂质 D.处于绝对零度 |
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| 把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。 |
| A.改变禁带宽度 B.产生复合中心 C.产生空穴陷阱 D.产生等电子陷阱 |
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| 杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。 |
| A.硼或铁 B.铁或铜 C.硼或磷 D.金或银 |
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| 砷有效的陷阱中心位置（） |
| A.靠近禁带中央 B.靠近费米能级 C.远离费米能级 D.远离禁带中央 |
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| 欲在掺杂适度的无表面态n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最合适的是（） |
| A.In（Wm=3.8eV） B.Cr（Wm=4.6eV） C.Au（Wm=4.8eV） D.Al（Wm=4.2eV） |
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| 半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于() |
| A.复合机构 B.散射机构 C.禁带宽度 D.晶体结构 |
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| 金属和半导体接触分为：（）。 |
| A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 |
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| 在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。 |
| A.锗 B.磷 C.硼 D.锡 |
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| 本征半导体是指（）的半导体。 |
| A.不含杂质和缺陷 B.电阻率最高 C.电子密度和空穴密度相等 D.电子密度与本征载流子密度相等 |
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| 重空穴是指（） |
| A.质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D.自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴 |
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| 硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件 |
| A.高可靠性 B.高反压 C.高频 D.大功率 |
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| 公式*q/m中的τ是半导体载流子的（）。 |
| A.迁移时间 B.寿命 C.平均自由时间 D.扩散时间 |
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| 下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（）。 |
| A.含硼1×1015cm-3的硅 B.含磷1×1016cm-3的硅 C.含硼1×1015cm-3，磷1×1016cm-3的硅 D.纯净的硅 |
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| 在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。 |
| A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 |
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| 当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。 |
| A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p |
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| 一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。 |
| A.杂质电离，本征激发 B.本征激发，杂质电离 C.施主电离，本征激发 D.本征激发，受主电离 |
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| 根据费米分布函数，电子占据（EF+KT）能级的几率（） |
| A.等于空穴占据（EF+KT）能级的几率 B.等于空穴占据（EF-KT）能级的几率 C.大于电子占据EF的几率 D.大于空穴占据EF的几率 |
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| 对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。 |
| A.上移 B.下移 C.不变 D.左移 |
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| 电子在晶体中的共有化运动时指（） |
| A.电子在晶体中各处出现的几率相同 B.电子在晶体原胞中个点出现的几率相同 C.电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同 D.电子在晶体各原胞对应点有相同位相 |
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| 对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。 |
| A.平衡载流子浓度成正比 B.非平衡载流子浓度成正比 C.平衡载流子浓度成反比 D.非平衡载流子浓度成反比 |
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| 空穴是()。 |
| A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 |
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| 载流子在电场作用下的运动为（）。 |
| A.漂移运动 B.扩散运动 C.热运动 D.共有化运动 |
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| 一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。 |
| A./1/4 B.1/e C.1/e2 D.1/2 |
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| 某材料的电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（） |
| A.金属 B.本征半导体 C.掺杂半导体 D.高纯化合物半导体 |
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| 自补偿效应的起因是（） |
| A.材料中先已预存在某种深能级杂质 B.材料中先已预存在某种深能级缺陷 C.掺入的杂质是双性杂质 D.掺杂导致某种缺陷产生 |
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| 半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。 |
| A.漂移运动 B.扩散运动 C.热运动 D.共有化运动 |
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| 与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。 |
| A.比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C.和绝缘体的相同 D.和绝缘体的不同 |
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| 如果在神州十号太空实验室里，生长的GaAs具有很高的载流子迁移率，这是因为（）的缘故。 |
| A.无杂质污染 B.受较强的宇宙射线照射 C.晶体生长完整性好 D.化学配比合理 |
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| 对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（）。 |
| A.声学波散射和光学波散射 B.声学波散射和电离杂质散射 C.光学波散射和电离杂质散射 D.光学波散射 |
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| 在光电转换过程中，硅材料一般不如GaAs量子效率高，其因是（） |
| A.禁带较窄 B.禁带是间接型跃迁 C.禁带较宽 D.禁带较宽 |
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| 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（） |
| A.单调上升 B.单调下降 C.经过一极小值趋近Ei D.经过一极大值趋近Ei |
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| 最有效的复合中心能级位置在（）附近。 |
| A.EA B.少子 C.多子 D.Ei |
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| 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）。 |
| A.单调上升 B.单调下降 C.经过一个极小值趋近Ei D.经过一个极大值趋近Ei |
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| 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。 |
| A.变大，变小 B.变小，变大 C.变小，变小 D.变大，变大 |
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| MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。 |
| A.相同 B.不同 C.无关 D.不确定 |
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| 电子和空穴的有哪些共同之处？ |
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| 点缺陷类型有哪些？ |
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| 元素半导体掺杂工艺有哪些？ |
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| 什么是本征激发？ |
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| 半导体产生光吸收的方式？ |
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| 半导体导带中的电子浓度取决于什么？ |
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| 为什么点阵间隔越小，能带越宽？ |
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| 什么是本征半导体？ |
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| 什么是p型半导体？ |
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| 电子和空穴的不同之处是什么？ |
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| 什么是空穴？ |
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| 什么是n型半导体？ |
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| 简述半导体的导电机构。 |
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| 为什么内壳层电子能带窄，外层电子能带宽？ |
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| 半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有哪两大类？ |
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| 什么是施主杂质？ |
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| 本征半导体的特征是什么？ |
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| 简述肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷的不同之处。 |
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| 简述实际半导体中杂质与缺陷来源。 |
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| 半导体的五大基本特性。 |
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| 影响固溶体形成的因素有哪些？ |
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| 影响迁移率的主要因素有哪些？ |
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| 为什么在半导体中空穴迁移率一般比电子迁移率低？ |
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| 相对于Si材料，GaAs具有哪些缺点？ |
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| Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶体结构有哪些？ |
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| 非晶半导体中载流子的输运机制是怎样的？ |
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| 半导体中载流子的散射机构有哪几种？ |
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| 在半导体中掺入杂质的作用是什么？ |
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| 为什么在半导体掺杂中，杂质会产生多个能级？ |
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| 能级杂质在半导体复合中所起的作用。 |
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| 陷阱效应是指非平衡载流子落入位于禁带中的杂质或缺陷能级。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 电子浓度不等于空穴浓度。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 温度越高，载流子热运动的平均速度越大。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为100%，如果温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为小于50%。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，其中非平衡载流子的寿命为τ。若光照忽然停止，经过τ时间后，非平衡载流子全部消失。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 金属和半导体接触分为有整流特性的肖特基接触和非整流的欧姆接触。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 费米能级难以移动的现象，称为高能度隙态的钉扎效应。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 统一的费米能级是热平衡状态的标志。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 内部原子或分子的排列呈现杂乱无章的分布状态的固体，称为非晶体。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 载流子在内电场作用下的运动称为漂移运动，由此引起的电流称为漂移电流。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 热电效应是电流引起的可逆热效应和温差引起的电效应的总称。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| Ⅲ族元素在硅中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称此类杂质为受主杂质。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平衡状态，有统一的费米能级。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 无论本征半导体还是杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由温度和禁带宽度决定。（） |
| A.正确 B.错误 |
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| 费米分布函数适用于简并的电子系统，波耳兹曼分布函数适用于非简并的电子系统。（） |
| A.正确 B.错误 |
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