青书学堂中原工学院电工电子基础网上考试答案
NPN三极管发射结和集电结都处于反偏,则此三极管处于()状态 |
A:饱和 B:放大 C:截止 D:击穿 |
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A:保证三相负载对称; B:保证三相功率对称; C:保证三相电压对称; D:保证三相电流对称。 |
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单相桥式整流电路中, ,整流电压平均值UO为( )。 |
A:63.45V B:45V C:90V D:100V |
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入( )。 |
A:并联电流负反馈 B:串联电流负反馈 C:串联电压负反馈 D:电压并联负反馈 |
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A:有电流,有电压 B:有电流,无电压 C:无电流,无电压 D:无电流,有电压 |
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A: B: C:Z1=Z2=Z3 D:R1=R2=R3 |
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A: B: C: D: |
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为到达稳定状态了。 |
A: B: C: D: |
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点设置太低将可能产生( )。 |
A:饱和失真 B:交越失真 C:截止失真 D:不影响 |
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)。 |
A:饱和状态 B:放大状态 C:截止状态 D:不确定 |
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)。 |
A:在电路中作短路保护 B:在电路中作过载保护 C:只要电路中有热继电器作保护,就不需要熔断器来保护 D:电动机电路中,不需要熔断器来保护 |
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为P1和P2,若将他们并联在电路中,则( )。 |
A:P1>P2 B:P1<P2 C:P1=P2 D:由通过电流大小而定 |
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电压比为380/36V的变压器,如一次绕组接在220V交流电源上,输出电压为( )。 |
A:20.8 V B:36 V C:62.3 V D:0 V |
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A: B: C: D: |
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A:瞬时值、周期、初相 B:最大值、角频率、初相 C:最大值、周期、相位差 D:瞬时值、角频率、相位差 |
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极 管 的 数 量 是( )。 |
A:四只 B:二只 C:一只 |
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A:变宽 B:变窄 C:不变 D:消失 |
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放大电路( )的能力。 |
A:放大差模抑制共模 B:输入电阻高 C:输出电阻低 |
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要规律是( )。 |
A: U+=U-=0,i+=i-; B:U+=U-=0,i+=i-=0; C:U+=U-,i+=i-=0; D:U+=U-=0,i+≠i-。 |
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A:反相比例放大器中 B:同相比例放大器中 C:差动放大器中 D:比较器中 |
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式为( )。 |
A:F(A,B,C)=∑m(0,2,4) B:(A,B,C)=∑m(3,5,6,7) C:F(A,B,C)=∑m(0,2,3,4) D:F(A,B,C)=∑m(2,4,6,7) |
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存储器中的内容( )。 |
A: 全部改变 B: 全部为1 C: 不确定 D: 保持不变 |
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欲将容量为256×1的RAM扩展为1024×8,则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为( )。 |
A: 4 B: 2 C: 3 D: 8 |
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欲将容量为128×1的RAM扩展为1024×8,则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为( )。 |
A: 1 B: 2 C: 3 D: 8 |
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的容量为( )。 |
A: 8×3 B: 8K×8 C: 256×8 D: 256×256 |
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) |
A:发射结正偏、集电结正偏; B:发射结反偏、集电结反偏; C:发射结正偏、集电结反偏; D:发射结反偏、集电结正偏。 |
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A:矩形方波; B:等腰三角波; C:正弦半波; D:仍为正弦波。 |
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A:较大; B:较小; C:为零; D:无法判断。 |
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用万用表检测某二极管时.发现其正、反电阻均约等于1KΩ.说明该二极管( )。 |
A:已经击穿; B:完好状态; C:内部老化不通; D:无法判断。 |
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? 直接耦合放大电路存在两个问题是前后级静态工作点相互影响和()。 |
A: 温度升高 B: 零点漂移 C: 功率输出增大 |
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联在一起。 |
A: 地址线 B: 数据线 C: 片选信号线 D: 读/写线 |
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A: 降低饱和深度 B: 增加饱和深度 C: 采用有源泄放回路 D: 采用抗饱和三极管 |
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优点是( ) |
A: 微功耗 B: 高速度 C: 高抗干扰能力 D: 电源范围宽 |
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) |
A: 全部输入是0 B: 全部输入是1 C: 任一输入为0,其他输入为1 D: 任一输入为1 |
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A: “·”换成“+”,“+”换成“·” B: 原变量换成反变量,反变量换成原变量 C: 变量不变 D: 常数中“0”换成“1”,“1”换成“0” |
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(综合题)已知电路图如图1 所示,求图中电流i1、i2,并说明它的实际方向与参考方向的关系。
 图1 |
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