青书学堂南阳理工学院电工与电子技术(专升本)网上考试答案
和逻辑式 表示不同逻辑关系的逻辑式是( )。 |
A: B: C: D: |
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NPN三极管发射结和集电结都处于反偏，则此三极管处于（）状态 |
| A:饱和 B:放大 C:截止 D:击穿 |
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 400var,则该负载消耗的有功功率为( )。。 |
| A: 900W B: 100W C: 300W D: 500W |
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| A:保证三相负载对称; B:保证三相功率对称; C:保证三相电压对称; D:保证三相电流对称。 |
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在如下图所示电路中,Uo为( ),忽略二极管的正向压降。
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| A:4V B:3V C:2V D:5V |
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| 十进制数(123)10可转换为十六进制数( )。 |
A: B: C: D: |
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单相桥式整流电路中, ,整流电压平均值UO为( )。 |
| A:63.45V B:45V C:90V D:100V |
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 入( )。 |
| A:并联电流负反馈 B:串联电流负反馈 C:串联电压负反馈 D:电压并联负反馈 |
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| 对某电路中一个NPN型硅管进行测试,测得UBE gt;0,UBC gt;0,UCE gt;0,则此管工作在( )。 |
| A:放大区 B:饱和区 C:截止区 D:不确定 |
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| A:有电流,有电压 B:有电流,无电压 C:无电流,无电压 D:无电流,有电压 |
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 0V交流电源上,输出电压为( )。 |
| A:20.8 V B:36 V C:62.3 V D:0 V |
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| A:铜和铝 B:空气和水 C:橡胶和塑料 D:钢和铁 |
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A: B: C: D: |
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| A:瞬时值、周期、初相 B:最大值、角频率、初相 C:最大值、周期、相位差 D:瞬时值、角频率、相位差 |
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A: , ICBO,(ICEO) B:ICM、PCM C:U(BR)CEO,ICM |
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 极 管 的 数 量 是( )。 |
| A:四只 B:二只 C:一只 |
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| A:输入信号所包含的干扰和噪声; B:反馈环内的干扰和噪声; C:反馈环外的干扰和噪声; D:所有干扰和噪声。 |
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| A:变宽 B:变窄 C:不变 D:消失 |
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 放大电路( )的能力。 |
| A:放大差模抑制共模 B:输入电阻高 C:输出电阻低 |
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 ___。( ) |
| A:耦合电容和旁路电容的存在 B:半导体管极间电容和分布电容的存在。 C:半导体管的非线性特性 D:放大电路的静态工作点不合适 |
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| 欲将容量为128×1的RAM扩展为1024×8,则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为( )。 |
| A: 1 B: 2 C: 3 D: 8 |
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 Ω,则最高位处电阻为( )。 |
| A: 4KΩ B: 5KΩ C: 10KΩ D: 20KΩ |
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| 采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有( )。 |
| A: 10行10列 B: 5行5列 C: 32行32列 D: 1024行1024列 |
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 的容量为( )。 |
| A: 8×3 B: 8K×8 C: 256×8 D: 256×256 |
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 ) |
| A:发射结正偏、集电结正偏; B:发射结反偏、集电结反偏; C:发射结正偏、集电结反偏; D:发射结反偏、集电结正偏。 |
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A:集电极最大允许电流ICM; B:集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO; C:集电极最大允许耗散功率PCM; D:管子的电流放大倍数 |
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| A:矩形方波; B:等腰三角波; C:正弦半波; D:仍为正弦波。 |
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| A:较大; B:较小; C:为零; D:无法判断。 |
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 1V.VB=2.8V.VC=4.4V.说明此三极管处在( )。 |
| A:放大区; B:饱和区; C:截止区; D:反向击穿区。 |
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 KΩ.说明该二极管( )。 |
| A:已经击穿; B:完好状态; C:内部老化不通; D:无法判断。 |
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若用JK触发器来实现特性方程为 ,则JK端的方程为( )。 |
A: J=AB,K= B: J=AB,K= C: J= ,K=AB D: J= ,K=AB |
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| A: “·”换成“+”,“+”换成“·” B: 原变量换成反变量,反变量换成原变量 C: 变量不变 D: 常数中“0”换成“1”,“1”换成“0” |
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 联在一起。 |
| A: 地址线 B: 数据线 C: 片选信号线 D: 读/写线 |
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| A: (100111.011)2 B: (27.6)16 C: (27.3 )16 D: (100111.11)2 |
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函数 ,当变量的取值为( )时,将出现冒险现象。 |
| A: B=C=1 B: B=C=0 C: A=1,C=0 D: A=0,B=0 |
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 于输入逻辑“1”。 |
| A:?悬空 B:通过电阻2.7kΩ接电源 C: 通过电阻2.7kΩ接地 D: 通过电阻510Ω接地 |
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| A: 降低饱和深度 B: 增加饱和深度 C: 采用有源泄放回路 D: 采用抗饱和三极管 |
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 优点是( ) |
| A: 微功耗 B: 高速度 C: 高抗干扰能力 D: 电源范围宽 |
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 ) |
| A: 全部输入是0 B: 全部输入是1 C: 任一输入为0,其他输入为1 D: 任一输入为1 |
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用三线-八线译码器74LS138和辅助门电路实现逻辑函数Y= ,应( )。 |
A: 用与非门,Y= B: 用与门,Y= C: 用或门,Y= D: 用或门,Y= |
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